BaTiO3復(fù)合硅膠對 IGBT 模塊內(nèi)部電場分布的影響 王昭，劉曜寧 （中車永濟(jì)電機(jī)有限公司 半導(dǎo)體分公司，陜西 西安 710018） 摘要: 隨著 IGBT 高壓功率模塊的發(fā)展，模塊內(nèi)部電場絕緣問題也顯得越來越重要。功率模塊封裝中使用的硅 凝膠的電場承受能力直接影響了整個(gè)模塊的絕緣表現(xiàn)。目前已經(jīng)有學(xué)者研究了一系列方法來優(yōu)化電場表現(xiàn)，提高可 靠性。本文通過使用有限元分析方法，分析和確定模塊中最大電場存在的位置并提出相應(yīng)的優(yōu)化解決方案。 關(guān)鍵詞: IGBT 模塊；硅膠；BaTiO3；有限元分析；電場模擬；局部放電 中圖分類號: TM215.92 文獻(xiàn)標(biāo)識碼:A 文章編號: